Obsah:
- Definícia - Čo znamená dynamická pamäť s náhodným prístupom (DRAM)?
- Techopedia vysvetľuje dynamickú pamäť s priamym prístupom (DRAM)
Definícia - Čo znamená dynamická pamäť s náhodným prístupom (DRAM)?
Dynamická pamäť s ľubovoľným prístupom (DRAM) je typ pamäte s ľubovoľným prístupom, ktorá sa používa vo výpočtových zariadeniach (predovšetkým v počítačoch). DRAM ukladá každý bit údajov do samostatnej pasívnej elektronickej súčasti, ktorá je vo vnútri dosky integrovaných obvodov. Každý elektrický komponent má dva stavy hodnoty v jednom bite s názvom 0 a 1. Tento únosca musí byť obnovený často, inak informácie miznú. DRAM má jeden kondenzátor a jeden tranzistor na bit na rozdiel od statickej pamäte s priamym prístupom (SRAM), ktorá vyžaduje 6 tranzistorov. Použité kondenzátory a tranzistory sú výnimočne malé. Na jeden pamäťový čip sa zmestia milióny kondenzátorov a tranzistorov.
Techopedia vysvetľuje dynamickú pamäť s priamym prístupom (DRAM)
DRAM je dynamická pamäť a SRAM je statická pamäť. Čipy DRAM na doske plošných spojov sa musia obnovovať každých pár milisekúnd. To sa dosiahne prepísaním údajov do modulu. Čipy, ktoré je potrebné obnoviť, sú volatilnou pamäťou. DRAM pristupuje priamo do pamäte, uchováva pamäť na krátky čas a pri vypnutí napájania stráca svoje dáta. SRAM je prchavá pamäť, ktorá je statická a nevyžaduje obnovovanie. Pretože SRAM je oveľa rýchlejší, používa sa v registroch a vyrovnávacej pamäti. SRAM uchováva údaje a pracuje pri vyšších rýchlostiach ako DRAM. Aj keď je SRAM rýchlejšia, DRAM sa používa častejšie na základnej doske, pretože výroba je omnoho lacnejšia.
Tri hlavné typy dosiek s plošnými spojmi, ktoré obsahujú pamäťové čipy, sú duálne in-line pamäťové moduly (DIMM), jednoduché in-line pamäťové moduly (SIMM) a Rambus in-line pamäťové moduly (RIMM). Väčšina základných dosiek dnes používa moduly DIMM. Frekvencia obnovovania modulu DRAM je každých niekoľko milisekúnd (1/1 000 sekundy). Toto osvieženie sa vykonáva pomocou pamäťového radiča umiestneného na čipovej súprave základnej dosky. Pretože sa na automatickú obnovu používa logika obnovovania, doska plošných spojov DRAM je pomerne zložitá. Na obnovovanie existujú rôzne systémy, ale všetky metódy vyžadujú počítadlo na sledovanie riadku, ktorý je potrebné obnoviť. Bunky DRAM sú usporiadané do štvorcovej zbierky kondenzátorov, obvykle 1024 x 1024 buniek. Keď je bunka v stave „čítania“, prečíta sa celý riadok a obnovenie sa zapíše späť. Keď je v stave „zápis“ celý riadok „prečítaný“, jedna hodnota sa zmení a potom sa celý riadok prepíše. V závislosti od systému existujú čipy DRAM, ktoré obsahujú počítadlo, zatiaľ čo iné systémy sa spoliehajú na periférnu obnovovaciu logiku, ktorá obsahuje počítadlo. Prístupový čas DRAM je približne 60 nanosekúnd, zatiaľ čo SRAM môže byť nízky ako 10 nanosekúnd. Čas cyklu DRAM je tiež omnoho dlhší ako čas SRAM. Čas cyklu SRAM je kratší, pretože sa nemusí zastaviť medzi prístupmi a obnovami.
